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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNVMFD5485NLWFT1G
onsemi
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NVMFD5485NLWFT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFD5485NLWFT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFD5485NLWFT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
NVMFD5485NL(WF).pdf
RoHS Status
vorrätig: 33108

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Anzahl

Spezifikation

NVMFD5485NLWFT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFD5485NLWFT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFD5485NLWFT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 15A, 10V  
Leistung - max 2.9W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NVMFD5483  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFD5485NLWFT1G.

Produkteigenschaften NVMFD5485NLWFT1G NVMFD5875NLT1G NVMFD5485NLT1G NVMFD5852NLT1G
Artikelnummer NVMFD5485NLWFT1G NVMFD5875NLT1G NVMFD5485NLT1G NVMFD5852NLT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer NVMFD5483 NVMFD5875 NVMFD5483 NVMFD5852
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V 540pF @ 25V 560pF @ 25V 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 15A, 10V 33mOhm @ 7.5A, 10V 44mOhm @ 15A, 10V 6.9mOhm @ 20A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 60V 40V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 20nC @ 10V 20nC @ 10V 36nC @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A 7A 5.3A 15A
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 2.9W 3.2W 2.9W 3.2W
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101

NVMFD5485NLWFT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFD5485NLWFT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFD5485NLWFT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NVMFD5485NL(WF).pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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