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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMFS5832NLWFT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVMFS5832NLWFT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFS5832NLWFT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFS5832NLWFT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NVMFS5832NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4200

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Anzahl

Spezifikation

NVMFS5832NLWFT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFS5832NLWFT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFS5832NLWFT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 127W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta)  
Grundproduktnummer NVMFS5832  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFS5832NLWFT1G.

Produkteigenschaften NVMFS5832NLWFT1G NVMFS5833NT3G NVMFS5833NWFT1G NVMFS5844NLT3G
Artikelnummer NVMFS5832NLWFT1G NVMFS5833NT3G NVMFS5833NWFT1G NVMFS5844NLT3G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer NVMFS5832 NVMFS5833 NVMFS5 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 127W (Tc) 3.7W (Ta), 112W (Tc) 3.7W (Ta), 112W (Tc) 3.7W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V 7.5mOhm @ 40A, 10V 7.5mOhm @ 40A, 10V 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 32.5 nC @ 10 V 32.5 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 60 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta) 16A (Ta) 16A (Ta) 11.2A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V 1714 pF @ 25 V 1714 pF @ 25 V 1460 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 -

NVMFS5832NLWFT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFS5832NLWFT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFS5832NLWFT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NVMFS5832NL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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