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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMFS5833NT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVMFS5833NT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFS5833NT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFS5833NT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NVMFS5833N(WF).pdf
RoHS Status
vorrätig: 5350

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Anzahl

Spezifikation

NVMFS5833NT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFS5833NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFS5833NT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 112W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1714 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta)  
Grundproduktnummer NVMFS5833  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFS5833NT1G.

Produkteigenschaften NVMFS5833NT1G NVMFS5832NLWFT1G NVMFS5833NT3G NVMFS4C05NWFT3G
Artikelnummer NVMFS5833NT1G NVMFS5832NLWFT1G NVMFS5833NT3G NVMFS4C05NWFT3G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer NVMFS5833 NVMFS5832 NVMFS5833 NVMFS4
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1714 pF @ 25 V 2700 pF @ 25 V 1714 pF @ 25 V 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.5 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 32.5 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta) 21A (Ta) 16A (Ta) 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 112W (Tc) 3.7W (Ta), 127W (Tc) 3.7W (Ta), 112W (Tc) 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 40A, 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V 7.5mOhm @ 40A, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V

NVMFS5833NT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFS5833NT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFS5833NT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NVMFS5833N(WF).pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 20/Dec/2021.pdf

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Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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