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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMS4816NR2G
NVMS4816NR2G Image
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NVMS4816NR2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMS4816NR2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMS4816NR2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NVMS4816NR2G.pdf
vorrätig: 3950

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Anzahl

Spezifikation

NVMS4816NR2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMS4816NR2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMS4816NR2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A (Ta)  
Grundproduktnummer NVMS48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMS4816NR2G.

Produkteigenschaften NVMS4816NR2G NVMYS2D9N04CLTWG NVMFS6B85NLT3G NVMFS6H836NWFT1G
Artikelnummer NVMS4816NR2G NVMYS2D9N04CLTWG NVMFS6B85NLT3G NVMFS6H836NWFT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 60µA 2.4V @ 250µA 4V @ 95µA
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Grundproduktnummer NVMS48 NVMYS2 NVMFS6 NVMFS6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 4.5 V 35 nC @ 10 V 7.9 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 9A, 10V 2.8mOhm @ 40A, 10V 46mOhm @ 10A, 10V 6.7mOhm @ 15A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V 2100 pF @ 20 V 480 pF @ 25 V 1640 pF @ 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) - 3.7W (Ta), 68W (Tc) 3.5W (Ta), 42W (Tc) 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 100 V 80 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A (Ta) 27A (Ta), 110A (Tc) 5.6A (Ta), 19A (Tc) 15A (Ta), 74A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC LFPAK4 (5x6) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-1023, 4-LFPAK 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads

NVMS4816NR2G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMS4816NR2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMS4816NR2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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