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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMYS8D0N04CTWG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVMYS8D0N04CTWG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMYS8D0N04CTWG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMYS8D0N04CTWG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-1023, 4-LFPAK
Datenblatt
NVMYS8D0N04C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 60050

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Anzahl

Spezifikation

NVMYS8D0N04CTWG Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMYS8D0N04CTWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMYS8D0N04CTWG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 30µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse LFPAK4 (5x6)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 38W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-1023, 4-LFPAK  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 49A (Tc)  
Grundproduktnummer NVMYS8  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMYS8D0N04CTWG.

Produkteigenschaften NVMYS8D0N04CTWG NVMS4816NR2G NVMS5P02R2G NVMFSC0D9N04CL
Artikelnummer NVMYS8D0N04CTWG NVMS4816NR2G NVMS5P02R2G NVMFSC0D9N04CL
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - 10V
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 38W (Tc) - - 4.1W (Ta), 166W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse LFPAK4 (5x6) 8-SOIC 8-SOIC 8-DFN (5x6.15)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 9.2 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V 86 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 30µA 3V @ 250µA 1.25V @ 250µA 3.5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 30 V 20 V 40 V
Vgs (Max) ±20V - - ±20V
Grundproduktnummer NVMYS8 NVMS48 NVMS5P02 NVMFSC0
Verpackung / Gehäuse SOT-1023, 4-LFPAK 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 1900 pF @ 16 V 6100 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 49A (Tc) 6.8A (Ta) 3.95A (Ta) 50A (Ta), 316A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 15A, 10V 10mOhm @ 9A, 10V 33mOhm @ 5.4A, 4.5V 0.87mOhm @ 50A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

NVMYS8D0N04CTWG Datenblatt PDF

Laden Sie NVMYS8D0N04CTWG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMYS8D0N04CTWG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NVMYS8D0N04C.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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