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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVS4409NT1G
NVS4409NT1G Image
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NVS4409NT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVS4409NT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVS4409NT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
NTS4409N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 370050

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Anzahl

Spezifikation

NVS4409NT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVS4409NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVS4409NT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 (SOT323)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 600mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 280mW (Tj)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 700mA (Ta)  
Grundproduktnummer NVS4409  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVS4409NT1G.

Produkteigenschaften NVS4409NT1G IRFP243 AOI2606 SI3424DV-T1-E3
Artikelnummer NVS4409NT1G IRFP243 AOI2606 SI3424DV-T1-E3
Hersteller onsemi Harris Corporation Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 (SOT323) TO-247 TO-251A 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 700mA (Ta) 18A (Tc) 14A (Ta), 46A (Tc) 5A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tube Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 600mA, 4.5V 220mOhm @ 10A, 10V 6.8mOhm @ 20A, 10V 28mOhm @ 6.7A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 150 V 60 V 30 V
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 800mV @ 250µA (Min)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 10 V 1275 pF @ 25 V 4050 pF @ 30 V -
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 10V 10V -
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-247-3 TO-251-3 Stub Leads, IPak SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 280mW (Tj) 150W (Tc) 2.5W (Ta), 150W (Tc) -
Grundproduktnummer NVS4409 - AOI260 SI3424
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V 60 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V

NVS4409NT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVS4409NT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVS4409NT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Green Compound Update 04/Mar/2015.pdf
Datenblätter
NTS4409N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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