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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2N6661
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2N6661 - Solid State Inc.

Hersteller Artikelnummer
2N6661
Hersteller
Solid State Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-2N6661
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 90V 900MA TO39
Verpackung
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Datenblatt
2N6661.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 9346

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Spezifikation

2N6661 Tech -Spezifikationen
Solid State Inc. - 2N6661 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Solid State Inc. - 2N6661

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Solid State Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±40V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-39  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 6.25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Box  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 90 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 900mA (Tc)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) Not Applicable
Status erreichen
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Solid State Inc. 2N6661.

Produkteigenschaften 2N6661 2N6661 2N6661 2N6660
Artikelnummer 2N6661 2N6661 2N6661 2N6660
Hersteller Solid State Inc. Vishay Siliconix Microchip Technology Solid State Inc.
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 90 V 90 V 90 V 60 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Box Tube Bag Box
Vgs (Max) ±40V ±20V ±20V ±40V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 1A, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-39 TO-39 TO-39 TO-39
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 900mA (Tc) 860mA (Tc) 350mA (Tj) 1.1A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 24 V 50 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
Verlustleistung (max) 6.25W (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 6.25W (Tc) 6.25W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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Datenblätter
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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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