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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVTFS5820NLTWG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVTFS5820NLTWG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVTFS5820NLTWG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVTFS5820NLTWG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NVTFS5820NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4160

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Anzahl

Spezifikation

NVTFS5820NLTWG Tech -Spezifikationen
onsemi - NVTFS5820NLTWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVTFS5820NLTWG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 21W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1462 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta)  
Grundproduktnummer NVTFS5820  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVTFS5820NLTWG.

Produkteigenschaften NVTFS5820NLTWG NVTFS5820NLTAG NVTFS5124PLWFTAG NVTFS5826NLWFTWG
Artikelnummer NVTFS5820NLTWG NVTFS5820NLTAG NVTFS5124PLWFTAG NVTFS5826NLWFTWG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.7A, 10V 11.5mOhm @ 8.7A, 10V 260mOhm @ 3A, 10V 24mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 21W (Tc) 3.2W (Ta), 21W (Tc) 3W (Ta), 18W (Tc) 3.2W (Ta), 22W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1462 pF @ 25 V 1462 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 850 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta) 11A (Ta) 2.4A (Ta) 7.6A (Ta)
Grundproduktnummer NVTFS5820 NVTFS5820 NVTFS5124 NVTFS5826
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA

NVTFS5820NLTWG Datenblatt PDF

Laden Sie NVTFS5820NLTWG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVTFS5820NLTWG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 06/Oct/2021.pdf
Datenblätter
NVTFS5820NL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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