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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVTFS5826NLWFTWG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVTFS5826NLWFTWG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVTFS5826NLWFTWG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVTFS5826NLWFTWG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NVTFS5826NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4350

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Anzahl

Spezifikation

NVTFS5826NLWFTWG Tech -Spezifikationen
onsemi - NVTFS5826NLWFTWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVTFS5826NLWFTWG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 22W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.6A (Ta)  
Grundproduktnummer NVTFS5826  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVTFS5826NLWFTWG.

Produkteigenschaften NVTFS5826NLWFTWG NVTFS5811NLTAG NVTFS5C453NLTAG NVTFS5C673NLTAG
Artikelnummer NVTFS5826NLWFTWG NVTFS5811NLTAG NVTFS5C453NLTAG NVTFS5C673NLTAG
Hersteller onsemi AMI Semiconductor / ON Semiconductor onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 22W (Tc) 3.2W (Ta), 21W (Tc) 68W (Tc) 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V 1570pF @ 25V 2100 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Grundproduktnummer NVTFS5826 - NVTFS5 NVTFS5
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 10A, 10V 6.7 mOhm @ 20A, 10V 3.1mOhm @ 40A, 10V 9.8mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 30nC @ 10V 35 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.6A (Ta) 16A (Ta) 107A (Tc) 13A (Ta), 50A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40V 40 V 60 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN

NVTFS5826NLWFTWG Datenblatt PDF

Laden Sie NVTFS5826NLWFTWG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVTFS5826NLWFTWG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NVTFS5826NL.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Cancellation 02/Dec/2019.pdf
PCN -Verpackung
MPN Label Update 08/Sep/2021.pdf MPN label update 11/Oct/2021.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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