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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVTFS5C673NLWFTAG
onsemi
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NVTFS5C673NLWFTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVTFS5C673NLWFTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVTFS5C673NLWFTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NVTFS5C673NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51490

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Anzahl

Spezifikation

NVTFS5C673NLWFTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NVTFS5C673NLWFTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVTFS5C673NLWFTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 46W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 50A (Tc)  
Grundproduktnummer NVTFS5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVTFS5C673NLWFTAG.

Produkteigenschaften NVTFS5C673NLWFTAG NVTFS6H888NTAG NVTFS6H850NLTAG NVTFS5C478NLWFTAG
Artikelnummer NVTFS5C673NLWFTAG NVTFS6H888NTAG NVTFS6H850NLTAG NVTFS5C478NLWFTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 2.9W (Ta), 18W (Tc) 3.9W (Ta), 73W (Tc) 20W (Tc)
Grundproduktnummer NVTFS5 NVTFS6 NVTFS6 NVTFS5
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V 220 pF @ 40 V 1450 pF @ 40 V 400 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 80 V 80 V 40 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 3.8 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 25A, 10V 55mOhm @ 5A, 10V 8.6mOhm @ 10A, 10V 14mOhm @ 5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 15µA 2V @ 70µA 2.2V @ 20µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 50A (Tc) 4.7A (Ta), 12A (Tc) 14.8A (Ta), 64A (Tc) 26A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

NVTFS5C673NLWFTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NVTFS5C673NLWFTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVTFS5C673NLWFTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev DryPack/Assembly Chgs 25/Feb/2021.pdf
Datenblätter
NVTFS5C673NL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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