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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVTFWS015N04CTAG
onsemi
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NVTFWS015N04CTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVTFWS015N04CTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVTFWS015N04CTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NVTFS015N04C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 69560

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Anzahl

Spezifikation

NVTFWS015N04CTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NVTFWS015N04CTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVTFWS015N04CTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.3mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.9W (Ta), 23W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.4A (Ta), 27A (Tc)  
Grundproduktnummer NVTFWS015  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVTFWS015N04CTAG.

Produkteigenschaften NVTFWS015N04CTAG NVTFS6H888NTAG NVTFS6H880NTAG NVTFWS052P04M8LTAG
Artikelnummer NVTFWS015N04CTAG NVTFS6H888NTAG NVTFS6H880NTAG NVTFWS052P04M8LTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer NVTFWS015 NVTFS6 NVTFS6 NVTFWS052
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 80 V 80 V 40 V
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 20µA 4V @ 15µA 4V @ 20µA 2.4V @ 95µA
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V 6.9 nC @ 10 V 6.3 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V 220 pF @ 40 V 370 pF @ 40 V 424 pF @ 20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.4A (Ta), 27A (Tc) 4.7A (Ta), 12A (Tc) 6.3A (Ta), 21A (Tc) 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.3mOhm @ 7.5A, 10V 55mOhm @ 5A, 10V 32mOhm @ 5A, 10V 69mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.9W (Ta), 23W (Tc) 2.9W (Ta), 18W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V

NVTFWS015N04CTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NVTFWS015N04CTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVTFWS015N04CTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev DryPack/Assembly Chgs 25/Feb/2021.pdf
Datenblätter
NVTFS015N04C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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