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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRFP3055
RFP3055 Image
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RFP3055 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
RFP3055
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-RFP3055
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RFD3055/SM, RFP3055.pdf
vorrätig: 4130

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Spezifikation

RFP3055 Tech -Spezifikationen
onsemi - RFP3055 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - RFP3055

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 53W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer RFP30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi RFP3055.

Produkteigenschaften RFP3055 RFP3055LE RFP25N05L RFP30P06
Artikelnummer RFP3055 RFP3055LE RFP25N05L RFP30P06
Hersteller onsemi onsemi Harris Corporation onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 20 V 11.3 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 170 nC @ 20 V
Verlustleistung (max) 53W (Tc) 38W (Tc) 60W (Tc) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 11A (Tc) 25A (Tc) 30A (Tc)
Grundproduktnummer RFP30 RFP30 - RFP30
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±16V ±10V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V - 3200 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V 107mOhm @ 8A, 5V 47mOhm @ 25A, 5V 65mOhm @ 30A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 50 V 60 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V 4V, 5V -

RFP3055 Datenblatt PDF

Laden Sie RFP3055 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für RFP3055 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf RFD3055/SM, RFP3055.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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