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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRFP3055LE
RFP3055LE Image
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RFP3055LE - onsemi

Hersteller Artikelnummer
RFP3055LE
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-RFP3055LE
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 11A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
RFD3055LE,LESM,%20RFP3055LE.pdf
vorrätig: 4170

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Spezifikation

RFP3055LE Tech -Spezifikationen
onsemi - RFP3055LE Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - RFP3055LE

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107mOhm @ 8A, 5V  
Verlustleistung (max) 38W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer RFP30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi RFP3055LE.

Produkteigenschaften RFP3055LE RFP30N06LE RFP3055 RFP25N05L
Artikelnummer RFP3055LE RFP30N06LE RFP3055 RFP25N05L
Hersteller onsemi onsemi onsemi Harris Corporation
Verlustleistung (max) 38W (Tc) 96W (Tc) 53W (Tc) 60W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107mOhm @ 8A, 5V 47mOhm @ 30A, 5V 150mOhm @ 12A, 10V 47mOhm @ 25A, 5V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 10V 4V, 5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 50 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 23 nC @ 20 V 80 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
Vgs (Max) ±16V +10V, -8V ±20V ±10V
Paket Tube Tube Tube Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 30A (Ta) 12A (Tc) 25A (Tc)
Grundproduktnummer RFP30 RFP30 RFP30 -

RFP3055LE Datenblatt PDF

Laden Sie RFP3055LE PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für RFP3055LE - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
RFD3055LE,LESM,%20RFP3055LE.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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