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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRFP50N06
RFP50N06 Image
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RFP50N06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
RFP50N06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-RFP50N06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RFP50N06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 30330

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Anzahl

Spezifikation

RFP50N06 Tech -Spezifikationen
onsemi - RFP50N06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - RFP50N06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 131W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer RFP50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi RFP50N06.

Produkteigenschaften RFP50N06 RFP70N03 RFP70N03 RFP50N05L
Artikelnummer RFP50N06 RFP70N03 RFP70N03 RFP50N05L
Hersteller onsemi Harris Corporation onsemi onsemi
Grundproduktnummer RFP50 - RFP70 RFP50
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 50A, 10V 10mOhm @ 70A, 10V 10mOhm @ 70A, 10V 22mOhm @ 50A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V 260 nC @ 20 V 260 nC @ 20 V 140 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V -
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - 4V, 5V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 131W (Tc) - - 110W (Tc)
Vgs (Max) ±20V - - ±10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 70A (Tc) 70A (Tc) 50A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 30 V 50 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

RFP50N06 Datenblatt PDF

Laden Sie RFP50N06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für RFP50N06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf RFP50N06.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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