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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRFP45N06
RFP45N06 Image
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RFP45N06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
RFP45N06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-RFP45N06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SM.pdf
vorrätig: 5190

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Spezifikation

RFP45N06 Tech -Spezifikationen
onsemi - RFP45N06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - RFP45N06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 131W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc)  
Grundproduktnummer RFP45  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi RFP45N06.

Produkteigenschaften RFP45N06 RFP40N10 RFP30P06 RFP3055LE
Artikelnummer RFP45N06 RFP40N10 RFP30P06 RFP3055LE
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V 300 nC @ 20 V 170 nC @ 20 V 11.3 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 5V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc) 40A (Tc) 30A (Tc) 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 45A, 10V 40mOhm @ 40A, 10V 65mOhm @ 30A, 10V 107mOhm @ 8A, 5V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 60 V 60 V
Grundproduktnummer RFP45 RFP40 RFP30 RFP30
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 25 V - 3200 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 131W (Tc) 160W (Tc) - 38W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±16V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

RFP45N06 Datenblatt PDF

Laden Sie RFP45N06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für RFP45N06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SM.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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