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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD25P03LT4G
STD25P03LT4G Image
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STD25P03LT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
STD25P03LT4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-STD25P03LT4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD25P03LT4G.pdf
vorrätig: 3690

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Anzahl

Spezifikation

STD25P03LT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - STD25P03LT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - STD25P03LT4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 25A, 5V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc)  
Grundproduktnummer STD25  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi STD25P03LT4G.

Produkteigenschaften STD25P03LT4G STD25NF10LA STD26P3LLH6 STD25NF10T4
Artikelnummer STD25P03LT4G STD25NF10LA STD26P3LLH6 STD25NF10T4
Hersteller onsemi STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V 52 nC @ 5 V 12 nC @ 4.5 V 55 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 25 V 1710 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1550 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±15V ±16V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie - STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ II
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 100 V 30 V 100 V
Grundproduktnummer STD25 STD25 STD26 STD25
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 25A, 5V 35mOhm @ 12.5A, 10V 30mOhm @ 6A, 10V 38mOhm @ 12.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) - 100W (Tc) 40W (Tc) 100W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc) 25A (Tc) 12A (Tc) 25A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA

STD25P03LT4G Datenblatt PDF

Laden Sie STD25P03LT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für STD25P03LT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 27/Jun/2014.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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