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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD26P3LLH6
STD26P3LLH6 Image
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STD26P3LLH6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD26P3LLH6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD26P3LLH6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD26P3LLH6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 60690

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Spezifikation

STD26P3LLH6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD26P3LLH6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD26P3LLH6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STD26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD26P3LLH6.

Produkteigenschaften STD26P3LLH6 STD27N3LH5 STD25P03LT4G STD26NF10
Artikelnummer STD26P3LLH6 STD27N3LH5 STD25P03LT4G STD26NF10
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics onsemi STMicroelectronics
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 100 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V 475 pF @ 25 V 1260 pF @ 25 V 1550 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ V - STripFET™ II
Betriebstemperatur 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer STD26 STD27N STD25 STD26
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±22V ±15V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 27A (Tc) 25A (Tc) 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V 19mOhm @ 13.5A, 10V 80mOhm @ 25A, 5V 38mOhm @ 12.5A, 10V
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 30W (Tc) - 100W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 4.6 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 55 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK

STD26P3LLH6 Datenblatt PDF

Laden Sie STD26P3LLH6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD26P3LLH6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Datenblätter
STD26P3LLH6.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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