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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD86369-F085
FDD86369-F085 Image
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FDD86369-F085 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD86369-F085
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD86369-F085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD86369_F085.pdf
RoHS Status
vorrätig: 70860

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Anzahl

Spezifikation

FDD86369-F085 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD86369-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD86369-F085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tj)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2530 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer FDD86369  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD86369-F085.

Produkteigenschaften FDD86369-F085 FDD86252 FDD86367-F085 FDD86381-F085
Artikelnummer FDD86369-F085 FDD86252 FDD86367-F085 FDD86381-F085
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 80A, 10V 52mOhm @ 5A, 10V 4.2mOhm @ 80A, 10V 21mOhm @ 25A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 150 V 80 V 80 V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2530 pF @ 40 V 985 pF @ 75 V 4840 pF @ 40 V 866 pF @ 40 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Verlustleistung (max) 150W (Tj) 3.1W (Ta), 89W (Tc) 227W (Tj) 48.4W (Tj)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 5A (Ta), 27A (Tc) 100A (Tc) 25A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDD86369 FDD862 FDD86367 FDD86381

FDD86369-F085 Datenblatt PDF

Laden Sie FDD86369-F085 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD86369-F085 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
FDD8636x 31/Mar/2022.pdf
Datenblätter
FDD86369_F085.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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