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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD8647L
Fairchild Semiconductor
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FDD8647L - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDD8647L
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDD8647L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD8647L.pdf
vorrätig: 4650

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Spezifikation

FDD8647L Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDD8647L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDD8647L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDD8647L.

Produkteigenschaften FDD8647L FDD86580-F085 FDD86569-F085 FDD86369-F085
Artikelnummer FDD8647L FDD86580-F085 FDD86569-F085 FDD86369-F085
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 20 V 1430 pF @ 30 V 2520 pF @ 30 V 2530 pF @ 40 V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 13A, 10V 19mOhm @ 50A, 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 7.9mOhm @ 80A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 43W (Tc) 75W (Tj) 150W (Tj) 150W (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 60 V 60 V 80 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 42A (Tc) 50A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4.2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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