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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAO4771
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AO4771 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AO4771
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AO4771
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AO4771.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4300

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Spezifikation

AO4771 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO4771 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO4771

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  
Grundproduktnummer AO47  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4771.

Produkteigenschaften AO4771 AO4728 AO4724 AO4771L
Artikelnummer AO4771 AO4728 AO4724 AO4771L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 3.1W (Ta) 1.7W (Ta) 2W (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundproduktnummer AO47 AO47 AO47 AO47
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 15 V 4463 pF @ 15 V 900 pF @ 15 V 350 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - SRFET™ SRFET™ -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 20A (Tc) 7.7A (Ta) 4A (Ta)
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Body) Schottky Diode (Body) Schottky Diode (Body)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 4A, 10V 4.3mOhm @ 20A, 10V 17.5mOhm @ 10.5A, 10V 68mOhm @ 4A, 10V

AO4771 Datenblatt PDF

Laden Sie AO4771 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AO4771 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Umweltinformationen
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PCN -Obsoleszenz/ EOL
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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