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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAO4800
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AO4800 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AO4800
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AO4800
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AO4800.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4070

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Spezifikation

AO4800 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO4800 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO4800

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.9A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.9A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer AO480  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4800.

Produkteigenschaften AO4800 AO4800L AO4800B AO4800BL
Artikelnummer AO4800 AO4800L AO4800B AO4800BL
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 15V 630pF @ 15V 630pF @ 15V 1100pF @ 15V
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.9A 6.9A 6.9A 6.9A (Ta)
Leistung - max 2W 2W 2W 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.9A, 10V 27mOhm @ 6.9A, 10V 27mOhm @ 6.9A, 10V 27mOhm @ 6.9A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundproduktnummer AO480 AO480 AO480 AO480
FET-Merkmal - - Logic Level Gate -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V 7nC @ 4.5V 7nC @ 4.5V 12nC @ 4.5V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

AO4800 Datenblatt PDF

Laden Sie AO4800 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AO4800 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Assembly 24/Apr/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL/Chgs 14/Apr/2020.pdf
Datenblätter
AO4800.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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