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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOB288L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOB288L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOB288L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOB288L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOT/AOB/AOTF288L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34469

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Spezifikation

AOB288L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB288L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB288L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 93.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1871 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.5A (Ta), 46A (Tc)  
Grundproduktnummer AOB288  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB288L.

Produkteigenschaften AOB288L AOB2910L AOB290L AOB2918L
Artikelnummer AOB288L AOB2910L AOB290L AOB2918L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1871 pF @ 40 V 1190 pF @ 50 V 9550 pF @ 50 V 3430 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 93.5W (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc) 2.1W (Ta), 267W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 20A, 10V 23.5mOhm @ 20A, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 100 V 100 V 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer AOB288 AOB2910 AOB290 AOB2918
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.5A (Ta), 46A (Tc) 6A (Ta), 30A (Tc) 18A (Ta), 140A (Tc) 13A (Ta), 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA 2.7V @ 250µA 4.1V @ 250µA 3.9V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AOB288L Datenblatt PDF

Laden Sie AOB288L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOB288L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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