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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOB27S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOB27S60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOB27S60L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOB27S60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 27A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOT/AOB/AOTF27S60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11283

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Spezifikation

AOB27S60L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB27S60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB27S60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak)  
Serie aMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 13.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 357W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1294 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27A (Tc)  
Grundproduktnummer AOB27S60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB27S60L.

Produkteigenschaften AOB27S60L AOB270L AOB288L AOB282L
Artikelnummer AOB27S60L AOB270L AOB288L AOB282L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Verlustleistung (max) 357W (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc) 2.1W (Ta), 93.5W (Tc) 2.1W (Ta), 272.5W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27A (Tc) 21.5A (Ta), 140A (Tc) 10.5A (Ta), 46A (Tc) 18.5A (Ta), 105A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1294 pF @ 100 V 10350 pF @ 37.5 V 1871 pF @ 40 V 7765 pF @ 40 V
Serie aMOS™ - - -
Grundproduktnummer AOB27S60 AOB270 AOB288 AOB282
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 13.5A, 10V 2.3mOhm @ 20A, 10V 8.9mOhm @ 20A, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 178 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3.4V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 75 V 80 V 80 V

AOB27S60L Datenblatt PDF

Laden Sie AOB27S60L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOB27S60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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