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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOD2C60
AOD2C60 Image
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AOD2C60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOD2C60
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOD2C60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
TO252 (DPAK) Pkg Drawing.pdf
AOD2C60.pdf
vorrätig: 4460

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Spezifikation

AOD2C60 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD2C60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD2C60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 52W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 304 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)  
Grundproduktnummer AOD2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD2C60.

Produkteigenschaften AOD2C60 AOD2908 AOD2HC60 AOD2N100M
Artikelnummer AOD2C60 AOD2908 AOD2HC60 AOD2N100M
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 304 pF @ 100 V 1670 pF @ 50 V 466 pF @ 100 V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 100 V 600 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc) 9A (Ta), 52A (Tc) 2.5A (Tc) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.1V @ 250µA 5V @ 250µA -
Grundproduktnummer AOD2 AOD290 AOD2 AOD2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 500mA, 10V 13.5mOhm @ 20A, 10V 2Ohm @ 800mA, 10V -
Verlustleistung (max) 52W (Tc) 2.5W (Ta), 75W (Tc) 74W (Tc) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) -
Serie - - - -

AOD2C60 Datenblatt PDF

Laden Sie AOD2C60 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOD2C60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Andere verwandte Dokumente
AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
TO252 (DPAK) Pkg Drawing.pdf AOD2C60.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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