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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOD2HC60
AOD2HC60 Image
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AOD2HC60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOD2HC60
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOD2HC60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
TO252 (DPAK) Pkg Drawing.pdf
AOD2HC60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5240

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Spezifikation

AOD2HC60 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD2HC60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD2HC60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 800mA, 10V  
Verlustleistung (max) 74W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 466 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc)  
Grundproduktnummer AOD2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD2HC60.

Produkteigenschaften AOD2HC60 AOD2916 AOD32326 AOD2C60
Artikelnummer AOD2HC60 AOD2916 AOD32326 AOD2C60
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer AOD2 AOD291 - AOD2
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 TO-252 (DPAK)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 466 pF @ 100 V 870 pF @ 50 V 2500 pF @ 15 V 304 pF @ 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 74W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 6.2W (Ta), 45W (Tc) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 800mA, 10V 34mOhm @ 10A, 10V 6.2mOhm @ 20A, 10V 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc) 5.5A (Ta), 25A (Tc) 24A (Ta), 46A (Tc) 2A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2.7V @ 250µA 2.3V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 100 V 30 V 600 V

AOD2HC60 Datenblatt PDF

Laden Sie AOD2HC60 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOD2HC60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
TO252 (DPAK) Pkg Drawing.pdf AOD2HC60.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 24/Jun/2014.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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