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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOD4189
AOD4189 Image
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AOD4189 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOD4189
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOD4189
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 40A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
TO252 (DPAK) Pkg Drawing.pdf
AOD4189.pdf
RoHS Status
vorrätig: 128300

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Spezifikation

AOD4189 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD4189 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD4189

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer AOD418  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4189.

Produkteigenschaften AOD4189 AOD4185 AOD418G AOD4186
Artikelnummer AOD4189 AOD4185 AOD418G AOD4186
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK)
Grundproduktnummer AOD418 AOD418 AOD41 AOD418
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 40A (Tc) 13.5A (Ta), 36A (Tc) 10A (Ta), 35A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 30 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 12A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V 7.5mOhm @ 20A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 20 V 2550 pF @ 20 V 1380 pF @ 15 V 1200 pF @ 20 V

AOD4189 Datenblatt PDF

Laden Sie AOD4189 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOD4189 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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