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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOD418G
AOD418G Image
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AOD418G - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOD418G
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOD418G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AOD418G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4090

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Anzahl

Spezifikation

AOD418G Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD418G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD418G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.5A (Ta), 36A (Tc)  
Grundproduktnummer AOD41  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD418G.

Produkteigenschaften AOD418G AOD4185L AOD423 AOD4185
Artikelnummer AOD418G AOD4185L AOD423 AOD4185
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V 6.2mOhm @ 20A, 20V 15mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Grundproduktnummer AOD41 AOD418 AOD42 AOD418
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 15 V 2550 pF @ 20 V 2760 pF @ 15 V 2550 pF @ 20 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 62.5W (Tc) 2.5W (Ta), 90W (Tc) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.5A (Ta), 36A (Tc) 40A (Tc) 15A (Ta), 70A (Tc) 40A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V, 20V 4.5V, 10V
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 30 V 40 V

AOD418G Datenblatt PDF

Laden Sie AOD418G PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOD418G - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Multiple Products 02/Mar/2021.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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