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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOE66410
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOE66410 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOE66410
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOE66410
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
AOE66410.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25591

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Spezifikation

AOE66410 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOE66410 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOE66410

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN-EP (5x6)  
Serie AlphaSGT™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 147W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A  
Grundproduktnummer AOE664  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE66410.

Produkteigenschaften AOE66410 FQA70N15 SI2392DS-T1-GE3 SI1441EDH-T1-BE3
Artikelnummer AOE66410 FQA70N15 SI2392DS-T1-GE3 SI1441EDH-T1-BE3
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. onsemi Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Grundproduktnummer AOE664 FQA70 SI2392 SI1441
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN TO-3P-3, SC-65-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±10V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 147W 330W (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A 70A (Tc) 3.1A (Tc) 4A (Ta), 4A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 4.5 V 175 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V 33 nC @ 8 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 20 V 5400 pF @ 25 V 196 pF @ 50 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 20A, 10V 28mOhm @ 35A, 10V 126mOhm @ 2A, 10V 41mOhm @ 5A, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 150 V 100 V 20 V
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN-EP (5x6) TO-3PN SOT-23 SC-70-6
Serie AlphaSGT™ QFET® TrenchFET® TrenchFET®

AOE66410 Datenblatt PDF

Laden Sie AOE66410 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOE66410 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
AOE66410.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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