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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAOE6936
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOE6936 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOE6936
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOE6936
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
AOE6936.pdf
RoHS Status
vorrätig: 53790

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Spezifikation

AOE6936 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOE6936 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOE6936

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V  
Leistung - max 24W, 39W  
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc), 85A (Tc)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Grundproduktnummer AOE693  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6936.

Produkteigenschaften AOE6936 AOE6930 AOE6932 NTHD5903T1G
Artikelnummer AOE6936 AOE6930 AOE6932 NTHD5903T1G
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer AOE693 AOE693 AOE693 NTHD59
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 P-Channel (Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V -
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) ChipFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad 8-SMD, Flat Lead
Serie - AlphaMOS - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V 7.4nC @ 4.5V
Leistung - max 24W, 39W 24W, 75W 24W, 52W 1.1W
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA 600mV @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc), 85A (Tc) 22A (Tc), 85A (Tc) 55A (Tc), 85A (Tc) 2.2A
FET-Merkmal - - - Logic Level Gate

AOE6936 Datenblatt PDF

Laden Sie AOE6936 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOE6936 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
AOE6936.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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