AOH3110 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOH3110 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOH3110

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
VGS (th) (Max) @ Id	2.9V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223-4
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 900mA, 10V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1A (Ta)
Grundproduktnummer	AOH31

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOH3110.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	AOH3110	IRFB59N10DPBF	STW70N60DM6-4	SI4362BDY-T1-E3
Hersteller	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	International Rectifier	STMicroelectronics	Vishay Siliconix
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	100 pF @ 50 V	2450 pF @ 25 V	4360 pF @ 100 V	4800 pF @ 15 V
Grundproduktnummer	AOH31	-	STW70	SI4362
FET-Merkmal	-	-	-	-
VGS (th) (Max) @ Id	2.9V @ 250µA	5.5V @ 250µA	4.75V @ 250µA	2V @ 250µA
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta)	3.8W (Ta), 200W (Tc)	390W (Tc)	3W (Ta), 6.6W (Tc)
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V	100 V	600 V	30 V
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	TO-220-3	TO-247-4	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)	±20V	±30V	±25V	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223-4	TO-220AB	TO-247-4	8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V	114 nC @ 10 V	99 nC @ 10 V	115 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	10V	10V	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 900mA, 10V	25mOhm @ 35.4A, 10V	42mOhm @ 31A, 10V	4.6mOhm @ 19.8A, 10V
Serie	-	HEXFET®	-	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)	Bulk	Tube	Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1A (Ta)	59A (Tc)	62A (Tc)	29A (Tc)
Befestigungsart	Surface Mount	Through Hole	Through Hole	Surface Mount

AOH3110 Datenblatt PDF

Laden Sie AOH3110 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOH3110 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL: Mult Dev EOL - LTS Rev 31/Oct/2017.pdf Mult Dev EOL 23/Jan/2017.pdf
Datenblätter: AOH3110.pdf

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Ozeanien	Neuseeland	5
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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