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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPI126N10N3G
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPI126N10N3G - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPI126N10N3G
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPI126N10N3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IPI126N10N3G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5220

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Anzahl

Spezifikation

IPI126N10N3G Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPI126N10N3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPI126N10N3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.6mOhm @ 46A, 10V  
Verlustleistung (max) 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPI126N10N3G.

Produkteigenschaften IPI126N10N3G IPI120N06S402AKSA2 IPI180N10N3GXKSA1 IPI120N08S404AKSA1
Artikelnummer IPI126N10N3G IPI120N06S402AKSA2 IPI180N10N3GXKSA1 IPI120N08S404AKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Verlustleistung (max) 94W (Tc) 188W (Tc) 71W (Tc) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc) 120A (Tc) 43A (Tc) 120A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 100 V 80 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3 PG-TO262-3-1 PG-TO262-3 PG-TO262-3-1
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Bulk Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V 15750 pF @ 25 V 1800 pF @ 50 V 6450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA 4V @ 140µA 3.5V @ 33µA 4V @ 120µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.6mOhm @ 46A, 10V 2.8mOhm @ 100A, 10V 18mOhm @ 33A, 10V 4.4mOhm @ 100A, 10V

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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