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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAON6924
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AON6924 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON6924
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON6924
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 15A/28A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
AON6924.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4910

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Anzahl

Spezifikation

AON6924 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6924 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6924

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN-EP (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V  
Leistung - max 2W, 2.2W  
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A, 28A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer AON692  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6924.

Produkteigenschaften AON6924 AON6918 AON6932 AON6928
Artikelnummer AON6924 AON6918 AON6932 AON6928
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 15V 1560pF @ 15V 1037pF @ 15V 1150pF @ 15V
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V 5.2mOhm @ 20A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 8.2mOhm @ 20A, 10V
Leistung - max 2W, 2.2W 2W, 2.2W 3.6W, 4.3W 3.6W, 4.3W
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A, 28A 15A, 26.5A 22A, 36A 17A, 30A
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN-EP (5x6) 8-DFN-EP (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6)
Grundproduktnummer AON692 AON691 AON693 AON692
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad 8-WDFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 25V 30V 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V 21nC @ 10V 22nC @ 10V 24nC @ 10V

AON6924 Datenblatt PDF

Laden Sie AON6924 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON6924 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Datenblätter
AON6924.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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