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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAON6926
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AON6926 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON6926
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON6926
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
AON6926.pdf
RoHS Status
vorrätig: 74340

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Anzahl

Spezifikation

AON6926 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6926 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6926

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V  
Leistung - max 1.9W, 2.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A, 12A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer AON692  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6926.

Produkteigenschaften AON6926 AON6934 AON6932 AON6922
Artikelnummer AON6926 AON6934 AON6932 AON6922
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Grundproduktnummer AON692 AON693 AON693 AON692
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-WDFN Exposed Pad
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V 5.2mOhm @ 20A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN-EP (5x6)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V 1037pF @ 15V 1037pF @ 15V 2340pF @ 12.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 25V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A, 12A 22A, 30A 22A, 36A 18A, 31A
Leistung - max 1.9W, 2.1W 3.6W, 4.3W 3.6W, 4.3W 2W, 2.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V 22nC @ 10V 22nC @ 10V 32nC @ 10V
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AON6926 Datenblatt PDF

Laden Sie AON6926 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON6926 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Datenblätter
AON6926.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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