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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAONR32320C
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AONR32320C - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AONR32320C
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AONR32320C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
AONR32320C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 229880

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Anzahl

Spezifikation

AONR32320C Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONR32320C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONR32320C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN-EP (3x3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 11W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Ta), 12A (Tc)  
Grundproduktnummer AONR32320  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR32320C.

Produkteigenschaften AONR32320C AONR66406 AONR32314 AONR32318
Artikelnummer AONR32320C AONR66406 AONR32314 AONR32318
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - AlphaSGT™ - -
Grundproduktnummer AONR32320 AONR664 AONR323 AONR323
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 11W (Tc) 5W (Ta), 27W (Tc) 4.1W (Ta), 24W (Tc) 56W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.2V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9.5A, 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V 8.7mOhm @ 17A, 10V 2.2mOhm @ 20A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V 1480 pF @ 20 V 1420 pF @ 15 V 6360 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-SMD, Flat Lead 8-PowerWDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Ta), 12A (Tc) 22A (Ta), 30A (Tc) 17A (Ta), 30A (Tc) 50A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN-EP (3x3) 8-DFN-EP (3x3) 8-DFN (3x3) 8-DFN-EP (3.3x3.3)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

AONR32320C Datenblatt PDF

Laden Sie AONR32320C PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AONR32320C - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
AONR32320C.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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