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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAONR34332C
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AONR34332C - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AONR34332C
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AONR34332C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 48A/50A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
AONR34332C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 78020

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Anzahl

Spezifikation

AONR34332C Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONR34332C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONR34332C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN-EP (3.3x3.3)  
Serie AlphaMOS  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 6.2W (Ta), 83.3W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4175 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Ta), 50A (Tc)  
Grundproduktnummer AONR34332  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR34332C.

Produkteigenschaften AONR34332C AONS32106 AONS21357 AONR66406
Artikelnummer AONR34332C AONS32106 AONS21357 AONR66406
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 45 nC @ 4.5 V 70 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 30 V 40 V
Serie AlphaMOS - - AlphaSGT™
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerSMD, Flat Leads 8-PowerSMD, Flat Leads 8-PowerVDFN
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN-EP (3.3x3.3) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN-EP (3x3)
Grundproduktnummer AONR34332 AONS321 AONS213 AONR664
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 6.2W (Ta), 83.3W (Tc) 5W (Ta), 36W (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) 5W (Ta), 27W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Ta), 50A (Tc) 20A (Ta), 20A (Tc) 21A (Ta), 36A (Tc) 22A (Ta), 30A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4175 pF @ 15 V 3300 pF @ 10 V 2830 pF @ 15 V 1480 pF @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 20A, 10V 5.3mOhm @ 20A, 4.5V 7.8mOhm @ 20A, 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±12V ±12V ±25V ±20V

AONR34332C Datenblatt PDF

Laden Sie AONR34332C PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AONR34332C - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Location 23/Mar/2021.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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