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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOT11C60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOT11C60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOT11C60L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOT11C60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220 Pkg Drawing.pdf
AO(T,B,TF)11C60.pdf
vorrätig: 4220

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Spezifikation

AOT11C60L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT11C60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT11C60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 278W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer AOT11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT11C60L.

Produkteigenschaften AOT11C60L AOT11C60PL AOT11S60L AOT11N60L
Artikelnummer AOT11C60L AOT11C60PL AOT11S60L AOT11N60L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V 2333 pF @ 100 V 545 pF @ 100 V 1990 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V 399mOhm @ 3.8A, 10V 650mOhm @ 5.5A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.1V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer AOT11 AOT11 AOT11 AOT11
Verlustleistung (max) 278W (Tc) 298W (Tc) 178W (Tc) 272W (Tc)
Serie - - aMOS™ -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

AOT11C60L Datenblatt PDF

Laden Sie AOT11C60L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOT11C60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Andere verwandte Dokumente
AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL Notice 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
TO220 Pkg Drawing.pdf AO(T,B,TF)11C60.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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