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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOT11N60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOT11N60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOT11N60L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOT11N60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220 Pkg Drawing.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5470

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Anzahl

Spezifikation

AOT11N60L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT11N60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT11N60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 272W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer AOT11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT11N60L.

Produkteigenschaften AOT11N60L AOT11C60PL AOT1100L AOT11N70
Artikelnummer AOT11N60L AOT11C60PL AOT1100L AOT11N70
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 11A (Tc) 8A (Ta), 130A (Tc) 11A (Tc)
Grundproduktnummer AOT11 AOT11 AOT11 AOT11
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 3.8V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 272W (Tc) 298W (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc) 271W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 100 V 700 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 25 V 2333 pF @ 100 V 4833 pF @ 25 V 2150 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5.5A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V 12mOhm @ 20A, 10V 870mOhm @ 5.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

AOT11N60L Datenblatt PDF

Laden Sie AOT11N60L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOT11N60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Datenblätter
TO220 Pkg Drawing.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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