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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF10N50FD
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF10N50FD - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF10N50FD
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF10N50FD
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOTF10N50FD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31312

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Spezifikation

AOTF10N50FD Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10N50FD Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10N50FD

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF10N50FD.

Produkteigenschaften AOTF10N50FD AOTF10N60CL AOTF10N60 AOTF10N60L
Artikelnummer AOTF10N50FD AOTF10N60CL AOTF10N60 AOTF10N60L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VGS (th) (Max) @ Id 4.2V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tj) 10A (Tc) 10A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Grundproduktnummer AOTF10 AOTF10 AOTF10 AOTF10
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 600 V 600 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc) -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

AOTF10N50FD Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF10N50FD PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF10N50FD - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Andere verwandte Dokumente
AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
TO220F Pkg Drawing.pdf AOTF10N50FD.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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