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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF10N60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF10N60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF10N60L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF10N60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
AO(T,TF,B)10N60(L).pdf
RoHS Status
vorrätig: 4530

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Anzahl

Spezifikation

AOTF10N60L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10N60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10N60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF10N60L.

Produkteigenschaften AOTF10N60L AOTF10N90 AOTF10N65 AOTF11C60PL
Artikelnummer AOTF10N60L AOTF10N90 AOTF10N65 AOTF11C60PL
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V 980mOhm @ 5A, 10V 1Ohm @ 5A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 900 V 650 V 600 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 11A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 3160 pF @ 25 V 1645 pF @ 25 V 2333 pF @ 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Grundproduktnummer AOTF10 AOTF10 AOTF10 AOTF11
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AOTF10N60L Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF10N60L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF10N60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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AO(T,TF,B)10N60(L).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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