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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF18N65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF18N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF18N65
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF18N65
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOTF18N65(L).pdf
RoHS Status
vorrätig: 20382

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Spezifikation

AOTF18N65 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF18N65 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF18N65

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3785 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF18N65.

Produkteigenschaften AOTF18N65 AOTF160A60L AOTF20C60 AOTF18N65L
Artikelnummer AOTF18N65 AOTF160A60L AOTF20C60 AOTF18N65L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer AOTF18 AOTF160 AOTF20 AOTF18
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 3.6V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Serie - aMOS5™ - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 600 V 650 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3785 pF @ 25 V 2340 pF @ 100 V 3500 pF @ 50 V 3785 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 24A (Tj) 20A (Tc) 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 12A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V 390mOhm @ 9A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 34.7W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc)

AOTF18N65 Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF18N65 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF18N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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TO220F Pkg Drawing.pdf AOTF18N65(L).pdf

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