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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF20C60P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen
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AOTF20C60P - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF20C60P
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF20C60P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOTF20C60P.pdf
TO220F Pkg Drawing.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3890

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Spezifikation

AOTF20C60P Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF20C60P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF20C60P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3607 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF20  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF20C60P.

Produkteigenschaften AOTF20C60P AOTF20N40L AOTF20C60PL AOTF20S60L
Artikelnummer AOTF20C60P AOTF20N40L AOTF20C60PL AOTF20S60L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 400 V 600 V 600 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 40W (Tc) 45W (Tc) 37.8W (Tc)
Grundproduktnummer AOTF20 AOTF20 AOTF20 AOTF20
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3607 pF @ 100 V 2290 pF @ 25 V 3607 pF @ 100 V 1038 pF @ 100 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - aMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V 199mOhm @ 10A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 19.8 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.3V @ 250µA 5V @ 250µA 4.1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F

AOTF20C60P Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF20C60P PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF20C60P - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Umweltinformationen
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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL Notice 22/Mar/2017.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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