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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF4N90
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF4N90 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF4N90
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF4N90
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOTF4N90(L).pdf
RoHS Status
vorrätig: 59270

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Spezifikation

AOTF4N90 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF4N90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF4N90

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF4N90.

Produkteigenschaften AOTF4N90 AOTF5N100 AOTF4N60 AOTF454L
Artikelnummer AOTF4N90 AOTF5N100 AOTF4N60 AOTF454L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 1000 V 600 V 150 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V 1150 pF @ 25 V 615 pF @ 25 V 985 pF @ 75 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 7V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 3A (Ta), 13A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.6V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Grundproduktnummer AOTF4 AOTF5 AOTF4 AOTF454
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 2A, 10V 4.2Ohm @ 2.5A, 10V 2.2Ohm @ 2A, 10V 94mOhm @ 10A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 37W (Tc) 42W (Tc) 35W (Tc) 2.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AOTF4N90 Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF4N90 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF4N90 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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TO220F Pkg Drawing.pdf AOTF4N90(L).pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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