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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF5N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF5N50 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF5N50
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF5N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOT(F)5N50(L).pdf
RoHS Status
vorrätig: 70090

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Spezifikation

AOTF5N50 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF5N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF5N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF5N50.

Produkteigenschaften AOTF5N50 AOTF7N60FD AOTF5N50FD AOTF4T60P
Artikelnummer AOTF5N50 AOTF7N60FD AOTF5N50FD AOTF4T60P
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V 995 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 522 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V 1.45Ohm @ 3.5A, 10V 1.8Ohm @ 2.5A, 10V 2.1Ohm @ 2A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 7A (Tc) 5A (Tc) 4A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Grundproduktnummer AOTF5 AOTF7 AOTF5 AOTF4
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.2V @ 250µA 4.2V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 500 V 600 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 39W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)

AOTF5N50 Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF5N50 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF5N50 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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TO220F Pkg Drawing.pdf AOT(F)5N50(L).pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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