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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF8N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF8N50 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF8N50
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF8N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOT(F)8N50(L).pdf
RoHS Status
vorrätig: 75160

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Spezifikation

AOTF8N50 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF8N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF8N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 38.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1042 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF8  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF8N50.

Produkteigenschaften AOTF8N50 AOTF7T60PL AOTF7T60P AOTF8N80
Artikelnummer AOTF8N50 AOTF7T60PL AOTF7T60P AOTF8N80
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4A, 10V 1.1Ohm @ 3.5A, 10V 1.1Ohm @ 3.5A, 10V 1.63Ohm @ 4A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1042 pF @ 25 V 965 pF @ 100 V 965 pF @ 100 V 1650 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 600 V 800 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc) 7.4A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Grundproduktnummer AOTF8 AOTF7 AOTF7 AOTF8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 38.5W (Tc) 29W (Tc) 38W (Tc) 50W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

AOTF8N50 Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF8N50 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF8N50 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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TO220F Pkg Drawing.pdf AOT(F)8N50(L).pdf

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