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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF7N70
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF7N70 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF7N70
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF7N70
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 7A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOT(F)7N70(L).pdf
RoHS Status
vorrätig: 59580

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Spezifikation

AOTF7N70 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF7N70 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF7N70

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 38.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1175 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF7N70.

Produkteigenschaften AOTF7N70 AOTF7T60PL AOTF8N50 AOTF7S65
Artikelnummer AOTF7N70 AOTF7T60PL AOTF8N50 AOTF7S65
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - aMOS™
Grundproduktnummer AOTF7 AOTF7 AOTF8 AOTF7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 9.2 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 38.5W (Tc) 29W (Tc) 38.5W (Tc) 35W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V 600 V 500 V 650 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1175 pF @ 25 V 965 pF @ 100 V 1042 pF @ 25 V 434 pF @ 100 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 7A (Tc) 8A (Tc) 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 3.5A, 10V 1.1Ohm @ 3.5A, 10V 850mOhm @ 4A, 10V 650mOhm @ 3.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AOTF7N70 Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF7N70 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF7N70 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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