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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOU7S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOU7S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOU7S60
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOU7S60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
TO251A Pkg Drawing.pdf
TO251 Pkg Drawing.pdf
AO(D,U)7S60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4380

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Anzahl

Spezifikation

AOU7S60 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOU7S60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOU7S60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251-3  
Serie aMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 372 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer AOU7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOU7S60.

Produkteigenschaften AOU7S60 AOUS66616 AOU4S60 AOU7S65
Artikelnummer AOU7S60 AOUS66616 AOU4S60 AOU7S65
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie aMOS™ AlphaSGT™ aMOS™ aMOS™
Grundproduktnummer AOU7 AOUS666 AOU4 AOU7
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 372 pF @ 100 V 2870 pF @ 30 V 263 pF @ 100 V 434 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 9.2 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 3-PowerSMD, Flat Leads TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 60 V 600 V 600 V
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 6.2W (Ta), 92.5W (Tc) 56.8W (Tc) 89W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 33A (Ta), 92A (Tc) 4A (Tc) 7A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-251-3 UltraSO-8™ TO-251-3 TO-251-3
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA 3.4V @ 250µA 4.1V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V 3.3mOhm @ 20A, 10V 900mOhm @ 2A, 10V 650mOhm @ 3.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole

AOU7S60 Datenblatt PDF

Laden Sie AOU7S60 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOU7S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Andere verwandte Dokumente
AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
TO251A Pkg Drawing.pdf TO251 Pkg Drawing.pdf AO(D,U)7S60.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
AOU7S60 EOL 6/Aug/2013.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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