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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOUS66616
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOUS66616 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOUS66616
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOUS66616
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-PowerSMD, Flat Leads
Datenblatt
AOUS66616.pdf
RoHS Status
vorrätig: 66820

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Anzahl

Spezifikation

AOUS66616 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOUS66616 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOUS66616

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse UltraSO-8™  
Serie AlphaSGT™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 6.2W (Ta), 92.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 3-PowerSMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2870 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Ta), 92A (Tc)  
Grundproduktnummer AOUS666  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOUS66616.

Produkteigenschaften AOUS66616 AOU4N60 AOU4S60 AOU7S65
Artikelnummer AOUS66616 AOU4N60 AOU4S60 AOU7S65
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie AlphaSGT™ - aMOS™ aMOS™
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Verpackung / Gehäuse 3-PowerSMD, Flat Leads TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 6.2W (Ta), 92.5W (Tc) 104W (Tc) 56.8W (Tc) 89W (Tc)
Grundproduktnummer AOUS666 AOU4 AOU4 AOU7
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2870 pF @ 30 V 640 pF @ 25 V 263 pF @ 100 V 434 pF @ 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 20A, 10V 2.3Ohm @ 2A, 10V 900mOhm @ 2A, 10V 650mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 9.2 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.1V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse UltraSO-8™ TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Ta), 92A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 7A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 600 V 600 V 600 V

AOUS66616 Datenblatt PDF

Laden Sie AOUS66616 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOUS66616 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
AOUS66616.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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