AOV20S60 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOV20S60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOV20S60

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
VGS (th) (Max) @ Id	4.1V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	4-DFN (8x8)
Serie	aMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	8.3W (Ta), 278W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	4-PowerTSFN
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1038 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.6A (Ta), 18A (Tc)
Grundproduktnummer	AOV20

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOV20S60.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	AOV20S60	DMP3025LK3-13-01	FDD2512	STD10NM65N
Hersteller	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Diodes Incorporated	Fairchild Semiconductor	STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse	4-PowerTSFN	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V	30 V	150 V	650 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	4.5V, 10V	6V, 10V	10V
VGS (th) (Max) @ Id	4.1V @ 250µA	3V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Bulk	Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1038 pF @ 100 V	1678 pF @ 15 V	344 pF @ 75 V	850 pF @ 50 V
Serie	aMOS™	-	PowerTrench®	MDmesh™ II
Verlustleistung (max)	8.3W (Ta), 278W (Tc)	2.15W (Ta)	42W (Ta)	90W (Tc)
Grundproduktnummer	AOV20	DMP3025	-	STD10
FET-Merkmal	-	-	-	-
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse	4-DFN (8x8)	TO-252-3	TO-252, (D-Pak)	DPAK
Typ FET	N-Channel	P-Channel	N-Channel	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V	31.6 nC @ 10 V	11 nC @ 10 V	25 nC @ 10 V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 10A, 10V	25mOhm @ 7.1A, 10V	420mOhm @ 2.2A, 10V	480mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (Max)	±30V	±20V	±20V	±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.6A (Ta), 18A (Tc)	16.1A (Ta)	6.7A (Ta)	9A (Tc)

AOV20S60 Datenblatt PDF

Laden Sie AOV20S60 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOV20S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Andere verwandte Dokumente: AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen: Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Verpackung: Change pin 29/Dec/2020.pdf
Datenblätter: AOV20S60.pdf

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