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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOWF14N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOWF14N50 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOWF14N50
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOWF14N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 14A TO262F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
TO262F Pkg Drawing.pdf
AOW(F)14N50.pdf
RoHS Status
vorrätig: 43530

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Spezifikation

AOWF14N50 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOWF14N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOWF14N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2297 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer AOWF14  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF14N50.

Produkteigenschaften AOWF14N50 AOWF412 AOWF190A60C AOWF190A60
Artikelnummer AOWF14N50 AOWF412 AOWF190A60C AOWF190A60
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 7V, 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-262F TO-262F TO-262F TO-262F
Serie - SDMOS™ aMOS5™ aMOS5™
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2297 pF @ 25 V 3220 pF @ 50 V 1935 pF @ 100 V 1935 pF @ 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 3.8V @ 250µA 4.6V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer AOWF14 AOWF41 AOWF190 AOWF190
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 7A, 10V 15.8mOhm @ 20A, 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 100 V 600 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 7.8A (Ta), 30A (Tc) 20A (Tj) 20A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 28W (Tc) 2.1W (Ta), 33W (Tc) 27W (Tc) 27W (Tc)

AOWF14N50 Datenblatt PDF

Laden Sie AOWF14N50 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOWF14N50 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Andere verwandte Dokumente
AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
TO262F Pkg Drawing.pdf AOW(F)14N50.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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