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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOWF11N70
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOWF11N70 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOWF11N70
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOWF11N70
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 11A TO262F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
TO262F Pkg Drawing.pdf
AOWF11N70.pdf
RoHS Status
vorrätig: 44575

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Spezifikation

AOWF11N70 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOWF11N70 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOWF11N70

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 870mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer AOWF11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF11N70.

Produkteigenschaften AOWF11N70 AOWF11S65 AOWF11C60 AOWF10N60
Artikelnummer AOWF11N70 AOWF11S65 AOWF11C60 AOWF10N60
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 28W (Tc) 28W (Tc) 28W (Tc) 25W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 870mOhm @ 5.5A, 10V 399mOhm @ 5.5A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 13.2 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-262F TO-262F TO-262F TO-262F
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc) 10A (Tc)
Grundproduktnummer AOWF11 AOWF11 AOWF11 AOWF10
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V 650 V 600 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V 646 pF @ 100 V 2000 pF @ 100 V 1600 pF @ 25 V
Serie - aMOS™ - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AOWF11N70 Datenblatt PDF

Laden Sie AOWF11N70 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOWF11N70 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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